casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
Número de pieza del fabricante | MT40A256M16GE-075E AUT:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT40A256M16GE-075E AUT:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1.33GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (14x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A256M16GE-075E AUT:B TR-FT |
TE28F256P30B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P30T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel