casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A1G8WE-083E AAT:B
Número de pieza del fabricante | MT40A1G8WE-083E AAT:B |
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Número de parte futuro | FT-MT40A1G8WE-083E AAT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G8WE-083E AAT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | 1.2GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8WE-083E AAT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A1G8WE-083E AAT:B-FT |
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel