casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A1G4RH-075E:B
Número de pieza del fabricante | MT40A1G4RH-075E:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT40A1G4RH-075E:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G4RH-075E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (1G x 4) |
Frecuencia de reloj | 1.33GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G4RH-075E:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A1G4RH-075E:B-FT |
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A
Micron Technology Inc.
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel