casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U
Número de pieza del fabricante | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U-FT |
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC2
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel