casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
Número de pieza del fabricante | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F-FT |
MTFC16GAPALBH-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAPALBH-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GBAOANAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GBAOANAM-WT TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel