casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F8G08ABACAH4-S:C
Número de pieza del fabricante | MT29F8G08ABACAH4-S:C |
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Número de parte futuro | FT-MT29F8G08ABACAH4-S:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F8G08ABACAH4-S:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G08ABACAH4-S:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F8G08ABACAH4-S:C-FT |
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001
Micron Technology Inc.
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel