casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR
Número de pieza del fabricante | MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 8Gb (8G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR-FT |
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel