casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G08BABWP TR
Número de pieza del fabricante | MT29F4G08BABWP TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F4G08BABWP TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08BABWP TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08BABWP TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G08BABWP TR-FT |
MT28F800B3WG-9 BET
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 BET TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 T
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 T TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 TET
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 TET TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 B
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 T
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 T TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel