casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G08BABWP-ET
Número de pieza del fabricante | MT29F4G08BABWP-ET |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F4G08BABWP-ET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08BABWP-ET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08BABWP-ET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G08BABWP-ET-FT |
MT28F800B3WG-9 BET TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 T
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 T TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 TET
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WG-9 TET TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 B
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 T
Micron Technology Inc.
MT28F800B3WP-9 T TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B5WG-8 B
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel