casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G08ABBEAH4:E
Número de pieza del fabricante | MT29F4G08ABBEAH4:E |
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Número de parte futuro | FT-MT29F4G08ABBEAH4:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08ABBEAH4:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABBEAH4:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G08ABBEAH4:E-FT |
MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10:A TR
Micron Technology Inc.