casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G08ABADAH4:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F4G08ABADAH4:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F4G08ABADAH4:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08ABADAH4:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABADAH4:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G08ABADAH4:D TR-FT |
MT41K64M16TW-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 XIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P
Micron Technology Inc.
MT40A1G16WBU-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel