casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR-FT |
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel