casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR-FT |
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABBWP-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel