casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABAEAH4:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABAEAH4:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAH4:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAH4:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABAEAH4:E TR-FT |
W949D6DBHX5E TR
Winbond Electronics
W949D6DBHX5I TR
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5E
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5E TR
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5I TR
Winbond Electronics
MT46H32M16LFCK-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFCK-6 TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 XIT:K
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel