casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1T08CQCCBG2-6R:C
Número de pieza del fabricante | MT29F1T08CQCCBG2-6R:C |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1T08CQCCBG2-6R:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1T08CQCCBG2-6R:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Tb (128G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08CQCCBG2-6R:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1T08CQCCBG2-6R:C-FT |
MT29F16G08ADACAH4-IT:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADACAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADACAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADBCAH4-IT:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADBCAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADBCAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADBCAH4:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AFABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AFABAWP:B
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel