casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G08ABBDAHC:D
Número de pieza del fabricante | MT29F1G08ABBDAHC:D |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G08ABBDAHC:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABBDAHC:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (10.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABBDAHC:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G08ABBDAHC:D-FT |
MT41K256M16TW-107 AAT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel