casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR-FT |
M29W400DB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT55N6
Micron Technology Inc.
M29W400DT55N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N1
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400FB55N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FT70N6E
Micron Technology Inc.