casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (1G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-TBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR-FT |
N25Q128A13ESF40E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFC0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFC0G
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFH0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13TSF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13TSF40G
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel