casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR-FT |
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel