casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

| Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
| Frecuencia de reloj | 267MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR-FT |

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
Micron Technology Inc.

M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation

AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

5SGXEA7N2F40C3N
Intel

5CGXFC4F6M11C7N
Intel

5SGXEB6R3F43C3
Intel

EP4SGX360KF43I4
Intel

XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.

LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K400EBC652-2X
Intel