casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CBCCBH6-6R:C

| Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CBCCBH6-6R:C |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CBCCBH6-6R:C |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F128G08CBCCBH6-6R:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
| Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F128G08CBCCBH6-6R:C Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CBCCBH6-6R:C-FT |

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
Micron Technology Inc.

MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.

A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation

A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation

EP3C16F256I7
Intel

5SGSED6K1F40C2L
Intel

XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.

XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.

XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.

LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation