casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR

| Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
| Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR-FT |

MT29E128G08CECDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
Micron Technology Inc.

MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.

A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation

XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.

XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.

M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation

APA300-BG456
Microsemi Corporation

A40MX02-PL68
Microsemi Corporation

EP3SL150F1152I4
Intel

XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.

XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.

EP1C20F324C6
Intel