casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B-FT |
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT
Micron Technology Inc.
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel