casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CBCBBH6-6ITR:B-FT |
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT
Micron Technology Inc.
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel