casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29C4G96MAYBACKD-5 WT
Número de pieza del fabricante | MT29C4G96MAYBACKD-5 WT |
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Número de parte futuro | FT-MT29C4G96MAYBACKD-5 WT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 137-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 137-TFBGA (10.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29C4G96MAYBACKD-5 WT-FT |
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation