casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT25TL512HBA8E12-0AAT
Número de pieza del fabricante | MT25TL512HBA8E12-0AAT |
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Número de parte futuro | FT-MT25TL512HBA8E12-0AAT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL512HBA8E12-0AAT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 2.8ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-T-PBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL512HBA8E12-0AAT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT25TL512HBA8E12-0AAT-FT |
M58WR032KU70D16 TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR064ET70ZB6T
STMicroelectronics
M58WR064KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR064KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR064KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR064KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR064KT70D16
Micron Technology Inc.
M58WR064KT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR064KT7AZB6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel