casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT25TL512HAA1ESF-0AAT
Número de pieza del fabricante | MT25TL512HAA1ESF-0AAT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT25TL512HAA1ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL512HAA1ESF-0AAT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 2.8ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL512HAA1ESF-0AAT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT25TL512HAA1ESF-0AAT-FT |
M58WR032KL70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70D16 TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KU70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
M58WR064ET70ZB6T
STMicroelectronics
M58WR064KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR064KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR064KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR064KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR064KT70D16
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel