casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT25QL512ABB1EW9-0SIT
Número de pieza del fabricante | MT25QL512ABB1EW9-0SIT |
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Número de parte futuro | FT-MT25QL512ABB1EW9-0SIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 2.8ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WPDFN (6x8) (MLP8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT25QL512ABB1EW9-0SIT-FT |
M25P80-VMC6TG TR
Micron Technology Inc.
M29W640FB70N6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NA6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2SN6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel