casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR
Número de pieza del fabricante | MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR |
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Número de parte futuro | FT-MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 2.8ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WPDFN (6x8) (MLP8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR-FT |
M29W640FB70N6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NA6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2SN6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation