casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR
Número de pieza del fabricante | MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR |
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Número de parte futuro | FT-MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 2.8ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR-FT |
GD25VQ16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel