casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MSRT20080(A)
Número de pieza del fabricante | MSRT20080(A) |
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Número de parte futuro | FT-MSRT20080(A) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT20080(A) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Three Tower |
Paquete del dispositivo del proveedor | Three Tower |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT20080(A) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSRT20080(A)-FT |
GSXD120A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF060A040S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS050A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS060A120S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A008S1-D3
Global Power Technologies Group
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel