casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MSRT20080(A)
Número de pieza del fabricante | MSRT20080(A) |
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Número de parte futuro | FT-MSRT20080(A) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT20080(A) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Three Tower |
Paquete del dispositivo del proveedor | Three Tower |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT20080(A) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSRT20080(A)-FT |
GSXD120A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF060A040S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS050A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS060A120S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A008S1-D3
Global Power Technologies Group
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel