casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / MSMLJ17AE3
Número de pieza del fabricante | MSMLJ17AE3 |
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Número de parte futuro | FT-MSMLJ17AE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMLJ17AE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 17V |
Voltaje - Avería (Min) | 18.9V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 27.6V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 106.6A |
Potencia - Pulso pico | 3000W (3kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMLJ17AE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSMLJ17AE3-FT |
MSMCJ170AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ170CA
Microsemi Corporation
MSMCJ170CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ17A
Microsemi Corporation
MSMCJ17AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ17CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ18CA
Microsemi Corporation
MSMCJ20A
Microsemi Corporation
MSMCJ22CA
Microsemi Corporation
MSMCJ22CAE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
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LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
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XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
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APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
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5AGXMA1D4F27C5N
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EP2SGX30CF780C3
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Intel