casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / MSMBJ170AE3/TR
Número de pieza del fabricante | MSMBJ170AE3/TR |
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Número de parte futuro | FT-MSMBJ170AE3/TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ170AE3/TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 170V |
Voltaje - Avería (Min) | 189V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 275V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 2.2A |
Potencia - Pulso pico | 600W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMBJ (DO-214AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ170AE3/TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSMBJ170AE3/TR-FT |
VESD08C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MASMLG8.0CAE3
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel