casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MSM5117400F-60T3DR1
Número de pieza del fabricante | MSM5117400F-60T3DR1 |
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Número de parte futuro | FT-MSM5117400F-60T3DR1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSM5117400F-60T3DR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 16Mb (4M x 4) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 110ns |
Tiempo de acceso | 30ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSM5117400F-60T3DR1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSM5117400F-60T3DR1-FT |
M50FW080K5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080N1
Micron Technology Inc.
M50FW080N5
Micron Technology Inc.
M50FW080N5G
Micron Technology Inc.
M50FW080N5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080NB5G
Micron Technology Inc.
M50FW080NB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50LPW116N1
STMicroelectronics
M50LPW116N5G
Micron Technology Inc.
M50LPW116N5TG TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel