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Rohm Semiconductor MSM5117400F-60T3DR1
- Número de pieza de MFG
- MSM5117400F-60T3DR1
- Cantidad disponible
- 32790 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descripción
- - IC DRAM 16M PARALLEL
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Memoria
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- MSM5117400F-60T3DR1.pdf
MSM5117400F-60T3DR1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | MSM5117400F-60T3DR1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MSM5117400F-60T3DR1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MSM5117400F-60T3DR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | DRAM |
| Tamaño de la memoria | 16Mb (4M x 4) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 110ns |
| Tiempo de acceso | 30ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MSM5117400F-60T3DR1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MSM5117400F-60T3DR1-FT |
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