casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MSAD200-16
Número de pieza del fabricante | MSAD200-16 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MSAD200-16 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSAD200-16 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1600V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 300A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 9mA @ 1600V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | D2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SD2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD200-16 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MSAD200-16-FT |
APT2X61D60J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X30D120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X100D60J
Microsemi Corporation
APT2X51DC120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X31D60J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ120J
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel