casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / MRT100KP60AE3
Número de pieza del fabricante | MRT100KP60AE3 |
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Número de parte futuro | FT-MRT100KP60AE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MRT100KP60AE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 60V |
Voltaje - Avería (Min) | 66.7V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 118V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | 100000W (100kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AR, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Case 5A (DO-204AR) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRT100KP60AE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MRT100KP60AE3-FT |
MART100KP85A
Microsemi Corporation
MART100KP85AE3
Microsemi Corporation
MART100KP85CA
Microsemi Corporation
MART100KP85CAE3
Microsemi Corporation
MART100KP90A
Microsemi Corporation
MART100KP90AE3
Microsemi Corporation
MART100KP90CA
Microsemi Corporation
MART100KP90CAE3
Microsemi Corporation
MRT100KP100A
Microsemi Corporation
MRT100KP100AE3
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation