casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MRA-051R000FE12
Número de pieza del fabricante | MRA-051R000FE12 |
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Número de parte futuro | FT-MRA-051R000FE12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-5 |
MRA-051R000FE12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 Ohms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 4W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 250°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.167" Dia x 0.562" L (4.24mm x 14.27mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-051R000FE12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MRA-051R000FE12-FT |
13FR040
Ohmite
13FR070
Ohmite
13FPR010E
Ohmite
13FPR100E
Ohmite
13FPR020E
Ohmite
13FPR050E
Ohmite
13FPR025E
Ohmite
13FPR005E
Ohmite
13FPR015E
Ohmite
13FPR030E
Ohmite
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
Intel