casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MRA-05100R0FE12
Número de pieza del fabricante | MRA-05100R0FE12 |
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Número de parte futuro | FT-MRA-05100R0FE12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-5 |
MRA-05100R0FE12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 Ohms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 4W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coeficiente de temperatura | ±30ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 250°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.167" Dia x 0.562" L (4.24mm x 14.27mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-05100R0FE12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MRA-05100R0FE12-FT |
13FR070
Ohmite
13FPR010E
Ohmite
13FPR100E
Ohmite
13FPR020E
Ohmite
13FPR050E
Ohmite
13FPR025E
Ohmite
13FPR005E
Ohmite
13FPR015E
Ohmite
13FPR030E
Ohmite
13FPR040E
Ohmite
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel