casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR4A08BMA35R
Número de pieza del fabricante | MR4A08BMA35R |
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Número de parte futuro | FT-MR4A08BMA35R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR4A08BMA35R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (10x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR4A08BMA35R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR4A08BMA35R-FT |
IDT71V124SA15TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA15TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20TYG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel