casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR2A08AMA35R
Número de pieza del fabricante | MR2A08AMA35R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MR2A08AMA35R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR2A08AMA35R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08AMA35R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR2A08AMA35R-FT |
IDT71V124SA10TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA12TY
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA12TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel