casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR25H10MDC
Número de pieza del fabricante | MR25H10MDC |
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Número de parte futuro | FT-MR25H10MDC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MR25H10MDC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 40MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10MDC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR25H10MDC-FT |
W25Q16DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q20CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q20EWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIG
Winbond Electronics
W25Q256FVEIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIP
Winbond Electronics
W25Q256FVEIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIQ
Winbond Electronics
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel