casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR25H10MDCR
Número de pieza del fabricante | MR25H10MDCR |
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Número de parte futuro | FT-MR25H10MDCR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MR25H10MDCR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 40MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10MDCR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR25H10MDCR-FT |
M50FW040NB5G
Micron Technology Inc.
M50FW040NB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080K5G
Micron Technology Inc.
M50FW080K5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080N1
Micron Technology Inc.
M50FW080N5
Micron Technology Inc.
M50FW080N5G
Micron Technology Inc.
M50FW080N5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080NB5G
Micron Technology Inc.
M50FW080NB5TG TR
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel