casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR25H10CDF
Número de pieza del fabricante | MR25H10CDF |
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Número de parte futuro | FT-MR25H10CDF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR25H10CDF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 40MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-VDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR25H10CDF-FT |
W25Q16DVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q20CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q20EWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIG
Winbond Electronics
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel