casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR25H10CDF
Número de pieza del fabricante | MR25H10CDF |
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Número de parte futuro | FT-MR25H10CDF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR25H10CDF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 40MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-VDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR25H10CDF-FT |
W25Q16DVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ TR
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W25Q16DWZPIG
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W25Q16DWZPIG TR
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W25Q20CLZPIG
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W25Q20EWZPIG TR
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W25Q256FVEIF
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W25Q256FVEIF TR
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W25Q256FVEIG
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M2GL025TS-1FGG484I
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5CGXFC5C6F27C7N
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10M16DCU324A7G
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