casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR256A08BYS35
Número de pieza del fabricante | MR256A08BYS35 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MR256A08BYS35 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR256A08BYS35 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR256A08BYS35 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR256A08BYS35-FT |
71V124SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S25TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024MS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel