casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR256A08BSO35R
Número de pieza del fabricante | MR256A08BSO35R |
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Número de parte futuro | FT-MR256A08BSO35R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR256A08BSO35R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR256A08BSO35R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR256A08BSO35R-FT |
IDT71024S20TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel