casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MR10210K000BAE66
Número de pieza del fabricante | MR10210K000BAE66 |
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Número de parte futuro | FT-MR10210K000BAE66 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MR100 |
MR10210K000BAE66 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 kOhms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.175W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±10ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 145°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.187" Dia x 0.375" L (4.75mm x 9.52mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR10210K000BAE66 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR10210K000BAE66-FT |
12FR020E
Ohmite
12FR030
Ohmite
12FR030E
Ohmite
12FR050
Ohmite
12FR070
Ohmite
12FR100
Ohmite
12FR020
Ohmite
12FR025
Ohmite
12FR040
Ohmite
12FR080
Ohmite
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel