casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR0A16AMYS35R
Número de pieza del fabricante | MR0A16AMYS35R |
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Número de parte futuro | FT-MR0A16AMYS35R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR0A16AMYS35R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A16AMYS35R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR0A16AMYS35R-FT |
SM671PEE-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXA-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXB-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXB-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PXC-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXC-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PXD-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXD-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PXE-AD
Silicon Motion, Inc.
71256L55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation