casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MPG06M-E3/100
Número de pieza del fabricante | MPG06M-E3/100 |
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Número de parte futuro | FT-MPG06M-E3/100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MPG06M-E3/100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 600ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | MPG06, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | MPG06 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPG06M-E3/100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MPG06M-E3/100-FT |
BYT54J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV13-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
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