casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-4N-131007JE
Número de pieza del fabricante | MOX-4N-131007JE |
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Número de parte futuro | FT-MOX-4N-131007JE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-4N-131007JE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 GOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 5W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.345" Dia x 4.140" L (8.76mm x 105.16mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-4N-131007JE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-4N-131007JE-FT |
OA271KE
Ohmite
OA270K
Ohmite
OA270KE
Ohmite
OA22GK
Ohmite
OA22GKE
Ohmite
OA224KE
Ohmite
OA223K
Ohmite
OA223KE
Ohmite
OA222KE
Ohmite
OA221K
Ohmite
A54SX32-TQG144M
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
EP4CGX30BF14C8
Intel
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQ176I
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-1
Intel