casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-4N-131006FE
Número de pieza del fabricante | MOX-4N-131006FE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MOX-4N-131006FE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-4N-131006FE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 MOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 5W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.345" Dia x 4.140" L (8.76mm x 105.16mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-4N-131006FE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-4N-131006FE-FT |
OA270KE
Ohmite
OA22GK
Ohmite
OA22GKE
Ohmite
OA224KE
Ohmite
OA223K
Ohmite
OA223KE
Ohmite
OA222KE
Ohmite
OA221K
Ohmite
OA221KE
Ohmite
OA220K
Ohmite
XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel