casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / MOX-3N-131006FE
Número de pieza del fabricante | MOX-3N-131006FE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MOX-3N-131006FE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-3N-131006FE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 MOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 4W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 210°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131006FE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MOX-3N-131006FE-FT |
OA180KE
Ohmite
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
Ohmite
OA151K
Ohmite
OA151KE
Ohmite
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel